FRAM（Ferromagnetic Random Access Memory），铁电随机存取存储器。FRAM由麻省理工学院首次提出，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的优点是可在失去电力的情况下，资料毫不受损，且写入速度极快，重复写入的次数高，几乎是无限次数，可大量取代EEPROM应用；其缺点为FRAM存储器的价格仍是大幅高于EEPROM约2~3倍之多。

FRAM存储器与电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁电随机存取存储器(MRAM)等并列为新式存储器的一种，目前FRAM存储器供应商包括富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)、Cypress、德州仪器(TI)等。

此市场领域属于高端市场，应用领域特殊如智能电表、交通储值卡、医疗健康系统如监照仪、内视镜、呼吸辅助、血氧测定、携带式胰岛素注射器等，以及车用市场如胎压侦测器等，或是KIOSK、博奕机等，由于FRAM低功耗特性，未来适合在物联网市场发挥。

FRAM存储器特点

● 采用2048×8位存储结构；

● 读写次数高达1百亿次；

● 在温度为55℃时，10年数据保存能力；

● 无延时写入数据；

● 先进的高可靠性铁电存储方式；

● 连接方式为高速串行接口（SPI）总线方式，且具有SPI方式0和3两种方式；

● 总线频率高达5MHz；

● 硬件上可直接取代E；

● 具有先进的写保护设计，包括硬件保护和软件保护双重保护功能；

● 低功耗，待机电流仅为10μA；

● 采用单电源+5V供电；

● 工业温度范围：-40℃至+85℃；

● 采用8脚SOP或DIP封装形式；